三星在硅谷树立3D DRAM研制实验室
洁净实验室 2024-02-04
新一代3D DRAM技能将带来革命性的打破。经过先进的3D堆叠技能，这种DRAM有望完结更高的存储容量和更快的读写速度，然后满意一向增加的数据需求。三星期望能够经过这项技能引领全球3D存储
新实验室的建立标志着三星对3D DRAM技能的注重和投入。这将是一个重要的研制基地，汇聚了业界顶尖的技能专家和工程师，一起致力于新一代3D DRAM的研制作业。
上一年10月，三星透露了正在为10纳米以下的DRAM开发新的3D结构。这种结构能够在必定程度上完结更大的单芯片容量，理论上还能够超越100千兆位。这一打破性的开展将为未来的存储技能翻开新的可能性，为数据中心云核算人工智能等范畴供给更强壮的支撑。
三星在美国建立实验室，并专心于新一代3D DRAM技能的开发，展示了其在技能立异和职业领导力方面的决计。跟着新一代3D DRAM技能的不断老练和运用，咱们有理由信任，三星将持续引领全球存储芯片商场的开展，为未来的科技产业注入强壮的动力。
，隶属于Device Solutions America (DSA)，旨在开发新一代
国家规划与施工二级资质、净化工程规划与施工一级资质环保一级资质、机电装置
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